DiodesZetex DMT67M8LSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14.8 A 2.2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 213-9215
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT67M8LSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | DMT67M8LSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.85 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie DMT67M8LSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.85 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die DiodesZetex DMT8030LFDF-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET. Er wird in Stromüberwachungsfunktionen, Batterie betriebenen Systemen und Halbleiterrelais verwendet.
100 % ungespanntes induktives Schalten
Prüfung in der Produktion - sorgt für ein zuverlässigeres und robusteres Ende Anwendung
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