Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4368
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R120P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.27mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.02mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.27mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.02mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB60R120P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage in elektronischen Stromkreisen vorgesehen, in denen eine Hochspannungsblockierung und eine hohe Gleichstromfähigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 600 V ermöglicht Hochspannungs-Systemkonzepte
• 26 A Dauerstrom unterstützen eine robuste Lastaufnahme
• 120 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Antriebsgröße
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• 0,9 V Durchlassspannungsgrenzwert für den Diodenabfall in synchrone Schaltkreisen
• 26 A Dauerstrom unterstützen eine robuste Lastaufnahme
• 120 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Antriebsgröße
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• 0,9 V Durchlassspannungsgrenzwert für den Diodenabfall in synchrone Schaltkreisen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für resonante und hart schaltende Wandler
• Wird mit Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für Hilfsschienen in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Elektronikschränke
• Ideal für resonante und hart schaltende Wandler
• Wird mit Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für Hilfsschienen in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Elektronikschränke
Welchen Gehäusetyp verwendet er für die Platinenmontage?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist und die Wärmeleitung zu einem Leiterplatten-Muster erleichtert.
Wie verträgt das Gerät extreme Temperaturen während des Betriebs?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollte ich beachten?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V, sodass die Antriebsschaltkreise innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben müssen, um Gate-Schäden zu vermeiden.
Welche Auswirkungen hat das Schaltverhalten auf die Layoutentscheidungen?
Die typische Gate-Ladung des Geräts von 36 nC und sein Rds(on)-Wert beeinflussen den Gate-Treiber-Strombedarf und die Kupferbreite, um I2R-Verluste zu minimieren.
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