Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 5,1 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4397
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90R1K2C3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 214-4397
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90R1K2C3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS™ | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,2 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Dieser Infineon Cool MOS MOSFET ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig qualifiziert. Er verfügt über eine hohe Peak Current Kapazität
Er ist RoHS-konform