Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4416P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IPP60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Breite | 15.93 mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Breite 15.93 mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit