Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 81 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 214-4471
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR8256TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 214-4471
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR8256TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 81 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | HEXFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0085 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 81 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie HEXFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0085 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET hat eine extrem niedrige Gate-Impedanz und ist vollständig charakterisiert durch Avalanche-Spannung und -Strom. Er wird in Hochfrequenz Synchron-Abwärtswandlern für verwendet Computerprozessorleistung
Er ist RoHS-konform