Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 214-4476P
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V Drain-Source-Spannung, 5 Ω Drain-Source-Widerstand – SN7002NH6327XTSA2
Dieser MOSFET ist ein Kleinsignal-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Steuerungsaufgaben in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und ist so konstruiert, dass es einem breiten Umgebungsbereich standhält, wodurch es sich für Elektronik eignet, die kompakte, wärmebeständige Schaltkomponenten erfordert.
Merkmale und Vorteile:
• 60 V Ablassspannung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 5 Ω Rds(on) ermöglicht kontrollierte Schwachstromleitung
• 200 mA kontinuierlicher Ableitstrom für Kleinsignallasten
• 1,2 V Durchlassspannung unterstützt einen vorhersehbaren Diodenabfall
• 1.5 nC typische Gate-Ladung für schnellere Gate-Übergänge
• 0,36 W Verlustleistung für mäßige thermische Belastung
• 5 Ω Rds(on) ermöglicht kontrollierte Schwachstromleitung
• 200 mA kontinuierlicher Ableitstrom für Kleinsignallasten
• 1,2 V Durchlassspannung unterstützt einen vorhersehbaren Diodenabfall
• 1.5 nC typische Gate-Ladung für schnellere Gate-Übergänge
• 0,36 W Verlustleistung für mäßige thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batteriemanagement-Signalschaltkreise
• Ideal für die Stromversorgung bei niedrigen Strömen in der Unterhaltungselektronik
• Wird mit kleinen Motor-Treiber-Schnittstellenschaltkreisen verwendet
• Kann für Pegelverschiebung und Signalmultiplexing verwendet werden
• Geeignet für Sensorkondizierungs- und Signaltrennungsaufgaben
• Ideal für die Stromversorgung bei niedrigen Strömen in der Unterhaltungselektronik
• Wird mit kleinen Motor-Treiber-Schnittstellenschaltkreisen verwendet
• Kann für Pegelverschiebung und Signalmultiplexing verwendet werden
• Geeignet für Sensorkondizierungs- und Signaltrennungsaufgaben
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen in rauen Umgebungen?
Es arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C und bietet Stabilität für unterschiedliche thermische Bedingungen.
Welche Gate- und Ablassspannungsgrenzwerte müssen bei der Konstruktion eingehalten werden?
Die Gate-to-Source- und Drain-to-Source-Spannungen sind auf 60 V begrenzt, was die maximalen angelegten Spannungen definiert.
Gibt es Industriestandards für Materialien oder Prozesse, die mit der Komponente verbunden sind?
Er entspricht der Norm IEC 61249-2-21 und erfüllt AEC Q101 für die Gleichwertigkeit in der Automobilindustrie.