onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 A 3.9 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-8900
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C612NT1G-TE
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.3mm | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.3mm | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie on Semiconductor NTMFS ist ein n-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung, AC/DC- und DC/DC-Netzteile und AC/DC-Adapter verwendet.
Bleifrei
RoHS-konform