onsemi NTP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-8910
Herst. Teile-Nr.:
NTP082N65S3HF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.53mm

Höhe

4.83mm

Breite

15.75 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Bleifrei

RoHS-konform

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