Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-8960
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFS8407TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand

Kfz-zugelassen

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