Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8
- RS Best.-Nr.:
- 214-8977P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
76,30 €
(ohne MwSt.)
90,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 4.960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | 1,526 € |
| 100 - 240 | 1,494 € |
| 250 - 490 | 1,40 € |
| 500 + | 1,302 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8977P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TISON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TISON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Die zweifach-N-Kanal OptiMOS MOSFETs werden halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und bleifreie Kabelbeschichtung geliefert; Erfüllt RoHS.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler
100%ig auf Stoßentladung geprüft