Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10.9 A 62.5 W, 8-Pin TSDSON

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214-8988
Herst. Teile-Nr.:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Breite

6.35 mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 250-V-OptiMOS-Produkte sind führende Benchmark-Technologien, die sich perfekt für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe eignen. Mit niedrigstem Platinenplatzverbrauch ermöglicht dies eine Verbesserung der Systemkosten. Sie bieten erstklassige Leistung für mehr Effizienz, Leistungsdichte und umweltfreundliche Eigenschaften.

Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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