Infineon OptiMOS P3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 39.6 A 40 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8990P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
50,50 €
(ohne MwSt.)
60,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 200 | 0,505 € |
| 250 - 450 | 0,473 € |
| 500 - 1200 | 0,441 € |
| 1250 + | 0,409 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8990P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS P3 | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS P3 | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden entwickelt, um verbesserte Funktionen zu bieten, die hochwertige Leistungen erfüllen. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Batterie- und Lastschaltung.
Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen