Infineon OptiMOS™ 5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

RS Best.-Nr.:: 214-8991
Herst. Teile-Nr.:: IAUS165N08S5N029ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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RS Best.-Nr.:: 214-8991
Herst. Teile-Nr.:: IAUS165N08S5N029ATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IAUS165N08S5N029ATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	165 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PG HSOG-8 (TOLG)
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0029 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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