Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 140 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-9015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB140N08S404ATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 214-9015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB140N08S404ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 140 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0042 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 140 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0042 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Die Infineon OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Diese OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Die Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
