Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin IPP70N12S311AKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-9097
Herst. Teile-Nr.:
IPP70N12S311AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

OptiMOS-T

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

100 % Lawinenprüfung

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