Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

88,80 €

(ohne MwSt.)

105,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 302,96 €88,80 €
60 - 1202,812 €84,36 €
150 +2,694 €80,82 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-9114
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R125CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS CFD7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

92W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Verwandte Links