Infineon CoolMOS™ CFD7 IPW60R125CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 214-9114
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R125CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ CFD7 IPW60R125CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

3,70 €

(ohne MwSt.)

4,40 €

(inkl. MwSt.)

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	3,70 €	111,00 €
60 - 120	3,516 €	105,48 €
150 +	3,367 €	101,01 €

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RS Best.-Nr.:: 214-9114
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R125CFD7XKSA1
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Datasheet - IPW60R125CFD7XKSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode
Niedrige Gateladung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	CoolMOS™ CFD7
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,125 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon CoolMOS™ CFD7 IPW60R125CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247

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