Infineon HEXFET IRF6616TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 106 A DirectFET ISOMETRISCH

Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Package-Plattform, um einen niedrigen kombinierten Ein- und Schaltverlust in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Stromversorgungssystemen und verbessert den bisherigen besten Wärmewiderstand um 80 %.

Geringe Verluste bei der Kabelführung und Schaltung
Optimiert für Hochfrequenzschaltung