Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 106 A DirectFET ISOMETRISCH

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9125
Herst. Teile-Nr.:
IRF6616TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

106 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DirectFET ISOMETRISCH

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Drain-Source-Widerstand max.

0,005 O

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Package-Plattform, um einen niedrigen kombinierten Ein- und Schaltverlust in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Stromversorgungssystemen und verbessert den bisherigen besten Wärmewiderstand um 80 %.

Geringe Verluste bei der Kabelführung und Schaltung
Optimiert für Hochfrequenzschaltung