Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 160 A DirectFET ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 214-9127
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6795MTRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,748 € | 17,48 € |
| 20 - 90 | 1,603 € | 16,03 € |
| 100 - 240 | 1,479 € | 14,79 € |
| 250 - 490 | 1,376 € | 13,76 € |
| 500 + | 1,336 € | 13,36 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9127
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6795MTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0032 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 160 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET ISOMETRISCH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0032 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Direct FET-Verpackungsplattform, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Stromversorgungssystemen und verbessert den bisherigen besten Wärmewiderstand um 80 %.
Ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler
Geringe Verluste bei der Kabelführung und Schaltung
Geringe Verluste bei der Kabelführung und Schaltung