Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 59 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 214-9131
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7746PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 214-9131
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7746PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 59 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0112 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 59 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0112 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.7V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Die Infineon Serie von diskreten HEXFET Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte in SMD- und Anschlussgehäusen. Anwendungen umfassen Bürstenmotortreiber, für BLDC-Motorantriebe, Batterie betriebene Stromkreise, synchrone Gleichrichteranwendungen, DC/DC- und AC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichter.
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit