Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 50 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2500P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
12,46 €
(ohne MwSt.)
14,82 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 180 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 24.860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 + | 0,623 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2500P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET der Infineon OptiMOS\-5-Power-Transistor-Serie ist ein N-Kanal mit Erweiterungskanalmodus. Der Gehäusetyp des MOSFET ist SuperSO8 5x6 und 8 Pins.
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinenprüfung