Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

123,12 €

(ohne MwSt.)

146,52 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 304,104 €123,12 €
60 - 1203,899 €116,97 €
150 +3,741 €112,23 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2560
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R040CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CFD7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

109nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V Cool MOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS7-Serie kompletzt. Cool MOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Verwandte Links