ROHM RUF N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 20 V / 2.5 A 0.8 W, 3-Pin TUMT
- RS Best.-Nr.:
- 215-9930P
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02FRATL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TUMT | |
| Serie | RUF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TUMT | ||
Serie RUF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm-MOSFET mit kleinem Signal und niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Gehäuse. Er wird für Schaltanwendungen verwendet.
Bleifrei
RoHS-konform