ROHM RV8 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 20 V / 1 A 1 W, 3-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
215-9932
Herst. Teile-Nr.:
RV8C010UNHZGG2CR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RV8

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

470mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

1mm

Höhe

0.4mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Rohm Kleinsignal-MOSFET verfügt über ein extrem kleines, bleifreies Ableitungspad für ausgezeichnete Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse. Er wird hauptsächlich in Schaltkreisen, Lastschaltern auf der Niederspannungsseite und Relaistreibern verwendet.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Extrem niedriger Spannungsantrieb

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