ROHM SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 159 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-9940P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3060AW7TL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 159W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 159W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über sehr schnelles Schalten und niedrigen Widerstand. Er wird hauptsächlich in Solarwechselrichtern, DC/DC-Wandlern, Motorantreitern und Induktionsheizungen eingesetzt.
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