Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 9.9 A 82 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
217-2496
Herst. Teile-Nr.:
IPAN60R650CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.5nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.1mm

Breite

4.8 mm

Höhe

29.87mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)Reduzierte gespeicherte Energie Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

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