Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2522
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R360P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 41 W maximale Verlustleistung – IPD60R360P7SAUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungssteuerungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Drain-Source-Spannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten Gehäuse geliefert, das für kompakte Stromversorgungsbaugruppen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung moderater Lastströme
• 360 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• 9,4 nC Gate-Ladung für reduzierte Schaltantriebsanforderungen
• 41 W Verlustleistung ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht breite Gate-Treiberbereiche
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung moderater Lastströme
• 360 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• 9,4 nC Gate-Ladung für reduzierte Schaltantriebsanforderungen
• 41 W Verlustleistung ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht breite Gate-Treiberbereiche
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Wird für Schaltelemente in Motorantriebsstufen verwendet
• Ideal für industrielle Stromversorgungs-Schaltfunktionen
• Kann für Halbbrücken- und Klemmschaltungen verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Stromversorgungsbaugruppen in kompakten SMD-Designs
• Wird für Schaltelemente in Motorantriebsstufen verwendet
• Ideal für industrielle Stromversorgungs-Schaltfunktionen
• Kann für Halbbrücken- und Klemmschaltungen verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Stromversorgungsbaugruppen in kompakten SMD-Designs
Welchem thermischen Bereich kann dieses Gerät standhalten?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C, um rauen thermischen Umgebungen gerecht zu werden.
Welche Gehäusetypen und Montagearten werden angeboten?
Das Gerät wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist, um den Leiterplatten-Leistungslayouts gerecht zu werden.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Leitungsverhalten aus?
Die Durchlassspannung beträgt 0,9 V, was den Low-Side-Leitungsabfall während des Durchlassstromflusses beeinflusst.
Welche Gate-Treiber-Einschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie viele externe Anschlüsse bietet er?
Die Komponente verfügt über drei Stifte für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.
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