Infineon IPD60R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 217-2527
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R600P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD60R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)

0,459 €

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Herst. Teile-Nr.:: IPD60R600P7ATMA1
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Datasheet - IPD60R600P7ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand R G.
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mO
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon IPD60R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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