Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2532P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Höhere Durchschlagsspannung
Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
Kfz AEC Q101 zugelassen
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)