Infineon CoolMOS CFDA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22.4 A 195.3 W, 3-Pin TO-220

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217-2563
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R150CFDAAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS CFDA

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

195.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Höhe

41.42mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der 650V CoolMOS TM CFDA-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten CoolMOS TM-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V CoolMOS TM CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Konform mit AEC Q101-Standard

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