Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,7 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2575
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R2K1CEAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,7 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

IPAK SL (TO-251 SL)

Serie

CoolMOS™ CE

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 Ohm

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige * Qg und Eoss
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu betreiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Zugelassen für Standardanwendungen