Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A DirectFET ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 217-2599
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6665TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 217-2599
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6665TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 62 mO | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 19 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DirectFET ISOMETRISCH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Drain-Source-Widerstand max. 62 mO | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 nH) Induktivität
100 % bleifrei (keine RoHS-Freistellung)
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 nH) Induktivität
100 % bleifrei (keine RoHS-Freistellung)