Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A, 8-Pin PQFN 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 217-2610
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5110TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 217-2610
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5110TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | PQFN 5 x 6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,4 mO | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße PQFN 5 x 6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,4 mO | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Infineon 100 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard