Infineon CoolSiC N-Kanal Dual, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY1B
- RS Best.-Nr.:
- 217-7178
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 217-7178
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,016 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 20V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,016 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 20V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Das Infineon EasyDUAL 1B 1200 V, 11 mΩ Halbbrückenmodul mit CoolSiC MOSFET, NTC und Pressfit Contact Technology.
Hohe Stromdichte
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Geringe induktive Bauweise
Höchster Wirkungsgrad für geringeren Kühlaufwand
Betrieb mit höherer Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Geringe induktive Bauweise
Höchster Wirkungsgrad für geringeren Kühlaufwand
Betrieb mit höherer Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden