Infineon Isoliert CoolSiC N-Kanal, Chassis MOSFET 1.2 kV / 50 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY1B
- RS Best.-Nr.:
- 217-7181
- Herst. Teile-Nr.:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Chassis | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 50 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 20 mW | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 5.65 V | |
| Höhe | 16.4 mm | |
| Länge | 62.8 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 33 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 33.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Serie CoolSiC | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Chassis | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 50 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 20 mW | ||
Pinanzahl 2 | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 5.65 V | ||
Höhe 16.4 mm | ||
Länge 62.8 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 33 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 33.8 mm | ||
The Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ half bridge module with CoolSiC MOSFET, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology
High current density
Best in class switching and conduction losses
Low inductive design
RoHS-compliant modules
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