Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
218-2973
Herst. Teile-Nr.:
BSC026N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Höhe

1.2mm

Breite

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-Serie. Der OptiMOS TM 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Bleifreie Leitungsbeschichtung

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