Infineon IAUA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5
- RS Best.-Nr.:
- 218-2988
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 218-2988
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- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-5 | |
| Serie | IAUA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-5 | ||
Serie IAUA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie IAUA von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 200 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUA200N04S5N010AUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und unterstützt die Qualifizierung auf Automobilniveau, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die eine robuste thermische Toleranz und einen dauerhaft hohen Ablassstrom erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 1 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• 200 A Dauerstrom ermöglichen das Schalten bei hoher Last
• Die Ablassspannung von 40 V unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungssysteme
• Die Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 81 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
• 200 A Dauerstrom ermöglichen das Schalten bei hoher Last
• Die Ablassspannung von 40 V unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungssysteme
• Die Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 81 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für Hochstrommotor-Treiberstufen
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Stromverteilung
• Kann zum Schalten von Lasten in industriellen Steuerungen verwendet werden
• Ideal für Hochstrommotor-Treiberstufen
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Stromverteilung
• Kann zum Schalten von Lasten in industriellen Steuerungen verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Das Gerät nimmt Gate-Antriebe bis zu 20 V auf und sollte diesen Wert nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie verhält er sich bei extremen Temperaturen?
Es arbeitet von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großer Temperaturschwankung.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind vorhanden?
Die Komponente wird in einem PG‐HSOF‐5-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Welche Kfz-Qualifizierung gilt für dieses Teil?
Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für elektronische Komponenten im Automobilbereich.