Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 260 A 300 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 218-2989
Herst. Teile-Nr.:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 260 A 300 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:: 218-2989
Herst. Teile-Nr.:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	260A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	HSOF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße HSOF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 100 V Drain-Source-Spannung, 260 A kontinuierlicher Drain-Strom – IAUT260N10S5N019ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für raue Bedingungen geeignet ist, und ist für Anwendungen konzipiert, die eine erhebliche Ablassstrombelastbarkeit, einen engen Einschaltwiderstand und eine robuste Gate-Spannungstoleranz erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 1,9 mΩ Rds(on) sorgen für geringere Leitungsverluste
• 260 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• 100 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Mittelspannungssysteme
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Die Durchlassspannung von 1.3 V minimiert die Leitungsverluste der Diode

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Antriebe und Motorantriebe
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsstufen
• Einsatz mit Batteriemanagement- und Energiespeichersystemen
• Kann für die Stromverteilung in elektrifizierten Fahrzeugen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die kompakte Leistungs-MOSFETs erfordern

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für kompakte Baugruppen vorgesehen?

Er wird in einem HSOF-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage mit acht Stiften vorgesehen ist.

Wie unterstützt das Gerät die Anforderungen an die Qualifizierung im Automobilbereich?

Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen für Komponenten, die in Fahrzeugumgebungen eingesetzt werden.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus bestimmen das Schaltverhalten?

Es verwendet ein N-Kanal-Gerät, das im Verstärkungsmodus für eine kontrollierte Leitung arbeitet.

Welche elektrischen Grenzwerte sollten für Gate- und Ableiterspannungen eingehalten werden?

Die Gate-Source-Spannung muss innerhalb von ±20 V und die Drain-Source-Spannung innerhalb von 100 V bleiben.