Infineon 600V CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19,3 A, 3-Pin TO-220 FP
- RS Best.-Nr.:
- 218-3014
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R280CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 218-3014
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R280CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 19,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 FP | |
| Serie | 600V CoolMOS™ CE | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,28 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 19,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-220 FP | ||
Serie 600V CoolMOS™ CE | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,28 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Großer Abstand von 4,25 mm zwischen den Leitungen
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Großer Abstand von 4,25 mm zwischen den Leitungen