Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

13,64 €

(ohne MwSt.)

16,24 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 880 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,682 €13,64 €
100 - 1800,648 €12,96 €
200 - 4800,621 €12,42 €
500 - 9800,594 €11,88 €
1000 +0,553 €11,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3049
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R500CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

Verwandte Links