Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 75 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

72,525 €

(ohne MwSt.)

86,325 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
75 - 1350,967 €
150 - 3600,925 €
375 - 7350,885 €
750 +0,825 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3051P
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R280P7SAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P7. Er hat extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, was Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler macht.

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.