Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

67,25 €

(ohne MwSt.)

80,05 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,345 €67,25 €
100 - 2001,09 €54,50 €
250 - 4501,022 €51,10 €
500 - 9500,969 €48,45 €
1000 +0,928 €46,40 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3068
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R280CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS TM CFD7. Der CoolMOS TM CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung (Qg), ein verbessertes Abschaltverhalten und eine Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % im Vergleich zur Konkurrenz sowie die niedrigste Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/dt-Robustheit

Verwandte Links