Infineon StrongIRFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 483 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3094
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218XKMA1
- Marke:
- Infineon
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- IRF100P218XKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 483 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.00128 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie StrongIRFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 483 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.00128 Ω | ||
The Infineon 100 V N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is Ideal for high switching frequency applications.
Very low RDS(on)
Excellent gate charge x RDS(on) (FOM)
Optimized Qrr
175°C operating temperature
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