Infineon IRF66 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A DirectFET ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 218-3100
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6614TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 218-3100
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6614TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | IRF66 | |
| Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0099 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.25V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie IRF66 | ||
Gehäusegröße DirectFET ISOMETRISCH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0099 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.25V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie IRFF6. Er gleicht sowohl niedrigen Widerstand als auch niedrige Ladung zusammen mit extrem niedriger Gehäuseinduktivität aus, um sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste zu reduzieren. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden.
Ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler
Geringe Leitungsverluste und Schaltverluste
Kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken
Geringe Leitungsverluste und Schaltverluste
Kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken