Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3106P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3410TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern verwendet.
RoHS-kompatibel
Betriebstemperatur von 175 °C
Schnelle Schaltgeschwindigkeit