Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3118P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 128A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.8mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 128A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs D2PAK (TO-263).
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit