Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 218-3125
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7546PBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*
38,625 €
(ohne MwSt.)
45,975 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | 0,515 € | 38,63 € |
| 225 - 300 | 0,494 € | 37,05 € |
| 375 + | 0,482 € | 36,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3125
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7546PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 71A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.9mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 99W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.39 mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 71A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.9mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 99W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.39 mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er wird für Anwendungen verwendet, bei denen das Schalten unter <100 kHz liegt.
Bleifrei, RoHS-konform
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFU7546PBF IPAK
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFR7546TRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W IRLR3636TRLPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W IRFR3806TRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220