Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin IPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

31,575 €

(ohne MwSt.)

37,575 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 - 1500,421 €31,58 €
225 - 3000,405 €30,38 €
375 +0,394 €29,55 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3125
Herst. Teile-Nr.:
IRFU7546PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

71A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.9mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

99W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

2.39 mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er wird für Anwendungen verwendet, bei denen das Schalten unter <100 kHz liegt.

Bleifrei, RoHS-konform

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Verwandte Links