STMicroelectronics SCTH70N 1, SMD MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
32.050,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 32,05 € | 32.050,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH70N | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.21Ω | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCTH70N | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.21Ω | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen Sic-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur am Anschluss (TJ = 175 °C)
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten