STMicroelectronics SCTH70N 1, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-4224P
Herst. Teile-Nr.:
SCTH70N120G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCTH70N

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.21Ω

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen Sic-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur am Anschluss (TJ = 175 °C)

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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