STMicroelectronics SCTL90N N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 40 A, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 219-4225
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 219-4225
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCTL90N | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 40 A | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.24 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCTL90N | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 40 A | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.24 Ω | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
Source sensing pin for increased efficiency
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