Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 386 A 291 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6018
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R024P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 386A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 164nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 291W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 386A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 164nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 291W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien wie PFC und LLC geeignet
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode in LLC-Topologie
Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen
Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen
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